铜箔与聚酰亚胺材料用镍铬连接镀层

　　在使用无粘结聚酰亚胺覆铜箔基材，通常使用在制造精细导线和高密度电气互连的应用上。如医疗器械电气系统，硬磁盘系统和COF等。对印制电路板的电路图形要求很高，主要特征就是导线和间距都需要在2密耳（mil）和精细导线制作。无粘结剂材料便于精细导线的制作，它所形成的覆铜箔材料，因为铜层薄很适合，并且介于铜和介质材料的界面很平滑。这两种特征的结果，实际上无粘结剂材料的制造是通过直接在完全固化的聚酰亚胺薄膜进行金属化
　　粘结剂介于铜箔和聚酰亚胺之间，最重要的考虑是因为所使用的铜箔不是低或超粗化度材料，它与介质材料的处理促使机械锁结。要达到良好的粘合，需将聚酰亚胺材料表面经过等离子体处理和应用薄的金属连接层介于铜箔与聚酰亚胺之间。通常所采用的连接层包括铬和镍合金
　　印制电路板制造过程中，会降低铜箔与聚酰亚胺之间的结合强度。该工艺过程包括该材料会暴露在苛刻的化学品的氛围内，制服造成过程中所使用权用的化工材料包括有机溶剂，高酸或高碱性的水溶液液，高的浸蚀性中性溶液以及在许多情况下，所有的类型不同的工序都会构成对材料起到化学作用。如镀金电解溶液，特别是对材料的结合力会产生急剧的减小。如经常会有影响包含有较高的pH值，特殊的氰化物溶液的浸蚀，或两方面都具有的性质，都会构成对材料之间的结合强度的直接影响。因此，通过使用中性的金氰化钾电镀金镀液，为提供研究材料之间结合强度使剥离强度特性减少原因分析，减低粘结力减少的趋势，值得注意的是在铜箔与聚酰亚胺之间的应用薄铬作连接层，或采用镍合金作连接层也能使减低粘合力减小的趋势，但它比采用铬层作连接层达到更少程度
　　提高温度和湿度也能够使铜箔与聚酰亚胺材料之间，再没有采用连接层的状态下会降低其之间的结合力，导致制造性和可靠性会降低。研究提供将其暴露在提高温度和通常所谓的压力锅测试后。铜箔在聚酰亚胺薄膜之间剥离强度减小。该压力锅测试包括将材料暴露在温度121℃，2个大气压力和100%RH （相对湿度），处理时间在168小时以上。材料使用铬和镍合金连接层，暴露在提高温度后，达到和获得减低粘合力减少的趋势。铬金属再次达到较大有效性。在使用不同的聚酰亚胺薄膜，经过压力锅暴露，铬连接层也能获得保持增加两种材料之间的粘结性能。在这种调查研究工作中，根据铜箔与聚酰亚胺材料的工艺特性，通过使用镍-铬（NiCr）连接层进行研究。还以尝试设计，补充提供的研究工作条件，就是在材料上使用镍合金而不含有铬来完成测试其剥离强度的大小。使用后的材料在提高温度，压力锅条件和电镀金等暴露前后，同时确定连接层厚度特性情况下的剥离强度。添加镍-铬连接层的工艺特性，包括蚀刻和电路制造实例进行讨论
　　实验
　　使用单面的覆铜箔聚酰亚胺层压板制造，采用标准的工艺实验方法。使用基础材料-聚酰亚胺厚度为1mil（0.005英寸）Kapton-E（Ref.5）。聚酰亚胺金属化前，在含有氧的介质环境内进行等离子体处理。连接层和铜的晶粒为200Α。用阴极溅镀技术沉积而成。连接层的厚度有不同，它介于0A-200A之间。连接层主要与铜（99.99＋%Cu）和镍-铬 （79.9＋%Ni,20.0＋%Cr）。有的样品采用蒙乃尔400 （镍铜合金即64.8%Ni,32.5%Cu）和铬（99.9%Cr）连接层并准备进行比较。最后通过电镀工艺方法使铜层厚度达到
　　样品准备完成，进行加热和高压力锅试验曝露后，再进行剥离强度测试，较详细的试验方法上述已谈及过（Ref.3-4）。样品板的导线经过蚀刻后其宽度为1/8英寸以及所曝露的环境条件，使用的是无铜箔层压板或背面涂有敷涂层的层压板
　　样品板使用标准材料生产的电镀金后，准备备对其进行粘结强度的测试。样品板进行印制和在酸性氯化铜蚀刻溶液蚀刻形成10个互连结构，导线和间距为8mil电路测试图形。并在中性的金氰化钾镀液内进行电镀软金，金的纯度为
　　总的工艺过程包括浸酸，电镀镍和电镀金前进行闪镀金，然后电镀金。通常电镀镍的厚度和电镀金的厚度都是30μ英寸
　　实际粘合力的确定是按照工业标准90°剥离强度测试而定。测试设备采用1130 Instron系列的Sintech进行测试，以提高运行试开V3.09软件使用效果。并使用10磅负载电池和2英寸/分钟，十字头联轴节运行速度。除非另有它意，通常样品采用铜层厚度为0.7mil,而没有进行任何镀层加厚处理。剥离强度的测量在任何给定的样品板重复测定，测试次数最少三次。在大多数的情况下，剥离强度测试的结果所提供的报告，其数据是多个样品板和重复/或同样的进行检查后的平均值。背面剥离的故障分析是通过使用电子扫描显微镜（SEM）和X-射线光电扫描仪。SEM是Leo（李氏）型号1450VP电子扫描显微镜，其压力可调。XPS是使用的物理电子PHI560ESCA/SAM系统装置，采用预应力通过CMA.而XPS的工作是通过使用MgX-射线源，在15KV和300瓦功率的条件下，运行实现外传输数据