3D NAND开发竞争加剧, IC解密加大研发力度

3D NAND闪存高密度技术正变得越来越激进。3D NAND闪存密度和容量的提高主要通过增加垂直方向上堆叠的存储器单元的数量来实现。通过这种三维堆叠技术和多值存储技术（用于在一个存储单元中存储多个比特位的技术），实现了具有极大存储容量的硅芯片。目前，最先进的3D NAND闪存可在单个硅片上容纳高达1Tbit或1.33Tbit的数据。譬如，英特尔（Intel）和美光科技（Micron）的开发联盟和三..

新闻中心 - admin - 2019-8-27 16:05:20