测试结果称基带芯片成为目前产业发展的瓶颈

    在昨天召开的新一代宽带无线移动通信国际论坛上，工信部电信研究院副总工程师王志勤指出，在此前的TD-LTE测试中可以看出，在终端芯片方面尤其是目前测试的基带芯片成为产业发展的瓶颈。
    “目前针对2.3GHz多厂商芯片以及与多个设备商的UuIOT测试均已完成，而在2.6GHz芯片上，仅有海思率先提供样片进行测试。”王志勤表示，就终端芯片而言，目前在TD-LTE上的基本功能和部分性能已实现，但未来需要走的路还很远。  
    在2.3GHz频段上，目前只有海思、创毅视讯、Sequans、三星、中兴微电子五家芯片厂商提供了产品进行功能、性能、射频等参数的测试，并与多个系统进行了互操作测试。而高通作为CDMA基带芯片的巨头目前也已有TD-LTE基带芯片提供测试，而据高通相关人士介绍，高通将在今年年底推出多模TD-LTE芯片，这也是产业界未来发展的方向。
    相对于终端芯片侧的滞后，在TD-LTE系统设备端发展较为稳定，目前包括华为、中兴、上贝、大唐、爱立信等主流设备商均已参与并完成了2.3GHz室内设备测试，而爱立信也与三星完成了设备终端互通测试，同时各家厂商也均已开始2.6GHz部分室外设备测试。
    谈及2.6GHz测试的要求时，王志勤表示，在单系统、芯片方面的测试要求和2.3GHz类似，都是先室内后室外。据了解，目前TD-LTE工作组在完成2.3GHz的TD-LTE技术试验测试基础上，已全面转向2.6GHz的测试。
    对于多城市规模测试，王志勤指出，在技术上TD-LTE需满足2×2的互通要求，即至少有两家系统设备和两家终端芯片达到设备及系统互操作要求方可规模试验。
    今年9月，工信部发布了《关于2.6GHz频段时分双工方式国际移动通信系统频段规划事宜的通知》，文件中确定了2.57～2.62GHz共50M频段用于TDD方式的移动通信系统。在《通知》中工信部、中移动将联合各大厂商开始了基于2.6GHz频段的相关测试。