3D NAND开发竞争加剧,?IC解密加大研发力度

3D NAND闪存高密度技术正变得越来越激进。3D NAND闪存密度和容量的提高主要通过增加垂直方向上堆叠的存储器单元的数量来实现。通过这种三维堆叠技术和多值存储技术（用于在一个存储单元中存储多个比特位的技术），实现了具有极大存储容量的硅芯片。
 
目前，最先进的3D NAND闪存可在单个硅片上容纳高达1Tbit或1.33Tbit的数据。
 
譬如，英特尔（Intel）和美光科技（Micron）的开发联盟和三星电子各自将制造技术与64层堆栈和QLC（四层单元）技术相结合，该技术将4位数据存储在一个存储单元中。因此，实现了1Tbit存储容量。
 
东芝存储和西部数据公司（Western Digital ）通过将QLC技术与制造技术相结合，堆叠了96层，开发出具有1.33 Tbit的高容量硅芯片。1.33 Tbit是目前世界上最大的半导体存储器存储容量。
 
还开发了128层堆叠的3D NAND闪存。2019年6月，SK海力士将128层制造技术与TLC（三层单元）技术相结合，将3位数据存储在一个存储单元中，从而实现每个硅片的3D存储容量。采用TLC堆叠方式使得3D闪存具有更高的存储容量。
 回顾过去，传统的2D NAND闪存主要通过小型化将其存储容量扩展到128Gbit。MLC技术和TLC技术用于多级存储。
 
3D NAND闪存技术的实际应用始于128Gbit，256Gbit或更高的存储容量成为3D NAND技术的主导地位。多级存储系统已通过TLC技术和QLC技术投入实际应用。
 
自2001年以来，NAND闪存的存储密度（每硅片存储容量）一直以每年1.41倍的速度增长。这相当于三年内存储容量增加了四倍。令人惊讶的是，这种高速度持续了19年。
 
然而，现在人们都在关注3D NAND闪存的未来，半导体存储研发界已经听说过。主要有两个问题。
 
一个是堆叠层数量的增加来提高容量，这种方式将在不久的未来减缓或达到极限。另一个是多级存储技术将通过QLC方法达到极限，并且每个存储器单元的位数不能增加。面对这些问题，力思集团也投入到这项研究中，利用精湛的技术以及全新的理念，为3D NAND闪存技术的发展提供更多可能。